Silīcija karbīda keramika tiek veidota, saķepinot reakciju. Saķepināšanas temperatūra ir ļoti svarīga silīcija karbīda keramikas izstrādājumu kvalitātei. Saķepināšanas temperatūras ietekme uz silīcija karbīda keramiku ir šāda:
1. Saķepināšanas temperatūra ir cieši saistīta ar silīcija karbīda keramikas kompaktumu un mehāniskajām īpašībām. Pārbaudes apstākļos saķepināšanas temperatūra ir robežās no 2160-2220 ℃, un silīcija karbīda keramikas saķepinātā korpusa relatīvais blīvums pārsniedz 96%. Silīcija karbīda keramikas ražošanas procesa kontroles temperatūru var formulēt, atsaucoties uz iepriekš minēto testa temperatūras diapazonu.
2. Pārbaudes apstākļos, kad silīcija karbīda keramikas saķepināšanas temperatūra ir 2220 ℃, saķepinātā korpusa blīvums ir lielāks, sasniedzot 98%relatīvo blīvumu; lieces izturība ir 39913MPa, un Vickers cietība ir 2318GPa. Saikne starp lieces izturību un blīvumu Aptuveni lineāra sakarība, Vikersa cietības vērtības izmaiņu tendence ar temperatūru ir līdzīga lieces izturības izmaiņu tendencei, bet svārstību diapazons ir mazs.
3. Skenēšanas spektra līnijai un izejvielu pulverim ir liela sakritības pakāpe, kas norāda, ka saķepināšanas procesā nenotiek fāžu inversija, kas atbilst izejvielu pulverim, kas galvenokārt sastāv no α2SiC pulvera. Tomēr vairāku galveno spektrālo līniju intensitāte, kas saķepināta augstā 250 ° C temperatūrā, ievērojami mainās.
4. Kad silīcija karbīda keramikas saķepināšanas temperatūra ir zema, saķepinātajam korpusam ir vairāk poru un blīvums ir mazāks; kristāla graudi sāk nedaudz augt pie atbilstošas saķepināšanas temperatūras, un saķepinātais korpuss ir blīvāks. Pārmērīga saķepināšanas temperatūra izraisa neparastus kristāla graudus. Kad viņi aug, struktūra kļūst vaļīga un blīvums samazinās. Blīvuma, lieces izturības un cietības vērtībām labāka saķepināšanas temperatūra ir nemainīga, un labākā temperatūras temperatūra ir aptuveni 2200 ° C.
https://www.hshightec.com/
